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广岛大学开发并公开了IGBT模型“HiSIM-IGBT”

信息来源:chuandong.biz  时间:2010-05-31  浏览次数:87

  广岛大学HiSIM研究中心的研究小组开发了IGBT(insulated gate bipolartransistor)电路设计和检测用模型“HiSIM-IGBT”,并于5月10日在该大学向新闻媒体作了发布。并披露,已经面向车载集成电路设计人员等公开了该模型。
  广岛大学从2005年开始就一直与丰田和丰田中央研究所共同研究普通车载用IGBT(insulated gate bipolartransistor)的模型。IGBT组合使用了双极晶体管和MOSFET,而联合研究小组则推导出可不分离这两个晶体管,而整体模拟IGBT的模型公式,从而开发出了HiSIM-IGBT.制成一体化模型是为了精确表达两个晶体管之间的相互作用。
  发布会现场 右边是广岛大学的三浦道子(研究生院尖端物质科学研究科教授兼HiSIM研究中心中心负责人)
  HiSIM-IGBT以广岛大学和半导体理工学研究中心(STARC)联合开发的MOSFET模型“HiSIM(Hiroshima-universitySTARC IGFET Model)”为骨架,并统合了双极晶体管模型(参阅本站报道)。据介绍,采用HiSIM-IGBT使设计高精度电路成为可能,有望大幅推进能源利用的高效率化。
  IGBT和HiSIM-IGBT
  HiSIM系列的标准化动向
  模型的精度和稳定性评测已完成,已达到可公开的程度。据称,有为模型做嵌入式评测的EDA工具供应商已表示,即便是大电流电路和大电压电路,也可以稳定预测特性。广岛大学打算通过发布该模型,使更多的用户利用,以便进一步改进。

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