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新兴公司SuVolta发布新型低功耗晶体管SOI JFET技术

信息来源:chuandong.biz  时间:2010-06-08  浏览次数:88

  SuVolta公司,前身名为DSM Solutions的新兴公司,近期透露了关于该公司计划通过采用互补结FET技术实现低功耗IC运行的一些细节。
  SuVolta公司的CTO--Ashok Kapoor于不久前在英国哥伦比亚省惠斯勒市举行的2010 CMOS新兴技术研讨会上进行了发言。在这种情况下,CMOS面向通信、微系统、光电产品和传感器。Kapoor的演讲题目分别是“采用互补JFET的VLSI”和“用于实现极低功耗的JFET技术”。横向结FET和MOSFET不同之处在于,前者采用反向偏置P-N结来将栅极与晶体管的衬底隔离,而不是一个绝缘层。并且其沟道掺杂与其源极和漏极的掺杂完全相同,在提出的结少纳米线晶体管中产生类似的动作。
  Kapoor是成立于2005年的DSM Solutions公司的创始人之一。该公司筹集到2,500万美元,从那以后,由董事长Bill Joy和Andy Rappaport分别代表风险投资Kleiner Perkins Caufield& Byers公司和August Capital公司的利益。在2009年12月SuVolt 公司(当时该公司已更名为SuVolta)筹集到300万美元,由芯片封装公司Tessera Technologies的前董事长、总裁兼CEO总裁Bruce McWilliams作为CEO加入。SuVolta公司已经获得了一系列将JFET技术用于实现低功耗逻辑、内存和信号传送的专利。
  在惠斯勒的发言中,Kapoor提出采用双栅极JFET,因为它有一个接近理想的亚阈值摆幅。他给出了采用60nm栅极的NFET和PFET结构的尺寸量测。
  Kapoor还展示了利用基于体硅的互补JFET构造出的99级环路振荡器的结果。他还讨论了高p-井的电容的不足,和由于面积的不足导致了为在体硅中实现JFET而隔离晶体管。Kapoor提出的解决方案是在硅绝缘体(SOI)基板搭建立互补JFET。
  Kapoor在其惠斯勒的演讲中总结到:“随后,在SOI上用JFET产生功能性逻辑电路也得到了验证。”他总结说:“JFET操作已被仿真用于沟道长度低于于20nm,有合理的Ion/Ioff比,电源电压为0.5V,这使得其成为更短尺寸的备选。”
  最近上任的市场营销和业务开发副总裁Jeff Lewis表示,SuVolta公司正在“开发一系列能够显着降低半导体功率消耗的技术和方法”。Lewis还告诉EE Times记者:“我们没有打算生产我们自己的芯片;而是计划将技术提供给其它公司,这样他们可以用到自己的产品中。”

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